[发明专利]碳化硅-二氧化硅界面过渡层的光学表征方法在审
| 申请号： | 201910427331.6 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110208213A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 荣丽梅;何金泽;杜江锋;罗天成;高昆;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;G01N21/17;G06F17/50 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅‑二氧化硅界面过渡层的光学表征方法,属于薄膜技术领域。该方法首先在椭偏仪中测量碳化硅‑二氧化硅样品的反射光参数振幅Ψ和相差Δ，然后在椭偏拟合软件中建立了拟合模型，将测量数据与椭偏拟合模型进行拟合，最后得到各层结构的折射率和消光系数，从而来表征碳化硅‑二氧化硅界面过渡层光学性质随界面深度变化的情况。该方法利用椭偏光谱仪及其界面多层结构建模，能够对碳化硅‑二氧化硅界面进行非破坏性、高灵敏度的、随界面深度变化的覆盖整个界面的光学性质表征。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 二氧化硅界面 过渡层 光学表征 光学性质 拟合模型 深度变化 薄膜技术领域 二氧化硅样品 反射光参数 椭偏光谱仪 测量数据 多层结构 非破坏性 高灵敏度 拟合软件 消光系数 层结构 椭偏仪 折射率 建模 拟合 测量 覆盖 | ||
【主权项】：
1.碳化硅‑二氧化硅界面过渡层的光学表征方法，包括以下步骤：步骤1、设定椭偏仪入射角θ为65°～75°、测量波长范围250nm～400nm、测量波长的间隔及参数表征波长，测量基底‑薄膜系统的光谱，从而得到反射光参数振幅Ψ和相差Δ；步骤2、建立碳化硅‑二氧化硅系统的椭偏拟合模型，在建立拟合模型时，需要加入的结构有：空气层、表面粗糙层、二氧化硅层、碳化硅‑二氧化硅界面过渡区多层结构和碳化硅基底层；步骤3、将测量数据与步骤2所得椭偏拟合模型进行拟合，在拟合时，均方误差MSE值小于2；步骤4、测量数据拟合完成，得到各层结构的折射率和消光系数，从而来表征碳化硅‑二氧化硅界面过渡层光学性质随界面深度变化的情况。
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