[发明专利]一种局域表面等离子谐振传感器及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201910427814.6 申请日: 2019-05-21
公开(公告)号: CN110160993A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 余得胜 申请(专利权)人: 广州星坛电子产品有限公司
主分类号: G01N21/552 分类号: G01N21/552;B82Y15/00;B82Y40/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;宋静娜
地址: 510000 广东省广州市广州高新技术产*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种局域表面等离子谐振传感器及其制备方法和应用。所述传感器包括透明介质层和银膜;所述透明介质层由聚碳酸酯材料制备得到,包括衬底和分布在所述衬底上的纳米柱阵列,所述纳米柱阵列中的每个纳米柱的顶部与其底部的形状及横截面均相同,且纳米柱的顶部的横截面积大于其中部的横截面积,纳米柱的底部与所述衬底连接;纳米柱的顶部和所述衬底上均覆盖有银膜,其中,所述衬底上覆盖的银膜与纳米柱之间均有间隙;纳米柱的表面涂覆还有SiO2/TiO2复合涂层。本发明的传感器灵敏度和准确度高,使用寿命长,在生化检测领域具有良好的应用前景。
搜索关键词: 纳米柱 衬底 银膜 制备方法和应用 纳米柱阵列 透明介质层 谐振传感器 局域表面 等离子 传感器灵敏度 聚碳酸酯材料 表面涂覆 复合涂层 生化检测 使用寿命 准确度 传感器 覆盖 制备 应用
【主权项】:
1.一种局域表面等离子谐振传感器,其特征在于,所述传感器包括透明介质层和银膜;所述透明介质层由聚碳酸酯材料制备得到,包括衬底和分布在所述衬底上的纳米柱阵列,所述纳米柱阵列中的每个纳米柱的顶部与其底部的形状及横截面均相同,且纳米柱的顶部的横截面积大于其中部的横截面积,纳米柱的底部与所述衬底连接;纳米柱的顶部和所述衬底上均覆盖有银膜,其中,所述衬底上覆盖的银膜与纳米柱之间均有间隙;纳米柱的表面涂覆还有SiO2/TiO2复合涂层。
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