[发明专利]电子束照射方法、电子束照射装置及记录有程序的计算机可读的非易失性存储介质有效
| 申请号： | 201910427887.5 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110517954B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 中山田宪昭 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电子束照射方法、电子束照射装置及记录程序的计算机可读的非易失性存储介质。本发明的一个方式的电子束照射方法包括：使用表示在基板上形成的图案的复杂度的指标，运算基板上被照射电子束时的带电量分布；使用所得到的带电量分布，运算因电子束的照射而形成的照射图案的错位量；使用错位量校正照射位置；向被校正后的照射位置照射电子束。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 照射 方法 装置 记录 程序 计算机 可读 非易失性 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种电子束照射方法，其特征在于，包括：/n使用表示在基板上形成的图案的复杂度的指标，对基板上被照射电子束时的带电量分布进行运算；/n使用所得到的所述带电量分布，对因所述电子束的照射而形成的照射图案的错位量进行运算；/n使用所述错位量校正照射位置；/n向被校正后的照射位置照射电子束。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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