[发明专利]一种嵌套式CeO2有效

专利信息
申请号: 201910427903.0 申请日: 2019-05-22
公开(公告)号: CN110148524B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 贺格平;白玉香;张存社;皇甫慧君;袁蝴蝶;魏英;丁冬海 申请(专利权)人: 西安建筑科技大学
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/86
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 范巍
地址: 710055 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种嵌套式CeO2/GO/AAO纳米阵列超级电容器电极材料及其制备方法,基于AAO模板首先利用真空旋涂法生长氧化石墨烯纳米管阵列,最后利用负压注入法在石墨烯纳米管中沉积CeO2纳米阵列,形成CeO2/GO/AAO纳米阵列相嵌套的电极结构。纳米阵列CeO2/GO/AAO结构较好地防止氧化石墨烯的团聚,实现氧化石墨烯的剥离,减薄石墨烯的厚度;CeO2/GO/AAO嵌套的电极管状三明治结构,可背靠背形成电容器的并联,改善了电极材料的电容性能;CeO2/GO/AAO材料间的良好接触性和和协同作用进一步改善了电容器库伦倍率性能。纳米阵列CeO2/GO/AAO嵌套式电极材料通过提高其能量密度来改善超级电容器的整体性,有望使高性能纳米阵列CeO2/GO/AAO嵌套式电极材料的超级电容器得到广泛应用。
搜索关键词: 一种 嵌套 ceo base sub
【主权项】:
1.一种嵌套式CeO2/GO/AAO纳米阵列超级电容器电极材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1,在AAO模板上生长氧化石墨烯GO纳米管阵列,得到AAO/GO纳米管阵列;S2,在AAO/GO纳米管阵列中沉积CeO2纳米管阵列,得到嵌套式CeO2/GO/AAO纳米阵列超级电容器电极材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安建筑科技大学,未经西安建筑科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910427903.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top