[发明专利]二维铜纳米片的高产率制备有效
申请号: | 201910428192.9 | 申请日: | 2019-05-22 |
公开(公告)号: | CN110586953B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 陈书堂;陈固纲 | 申请(专利权)人: | 本田技研工业株式会社 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/054;C25B3/26;C25B3/07;C25B11/075;C25B3/03;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李勇;吕小羽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
基于Cu的纳米结构因其独特的化学和物理性质而具有优异的催化、电子和等离子体激元性能。已针对催化CO |
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搜索关键词: | 二维 纳米 高产 制备 | ||
【主权项】:
1.一种制备铜纳米片的方法,所述方法包括:/n将包含还原剂和一种或多种表面活性剂的反应物溶液加热到约280℃至约330℃的温度,以形成经加热的溶液;和/n向所述经加热的溶液中注入含铜前体的热溶液以形成所述铜纳米片。/n
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