[发明专利]1;3;6;8位四取代芘衍生物的合成及其在有机场效应晶体管中的应用在审
| 申请号： | 201910428348.3 | 申请日： | 2019-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110183419A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 高德青;宫小杰;郑朝月;付振乾;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C07D333/08 | 分类号： | C07D333/08;H01L51/30 |
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| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本专利旨在开发具有半导体性能的一类1，3，6，8位四取代芘衍生物，并应用于有机场效应晶体管。芘的1，3，6，8位引入系列噻吩单元，构筑四取代芘衍生物，利用化学反应进行材料的制备；然后以硅片为栅极、以芘衍生物为有机半导体材料，制备底栅顶接触场效应晶体管。 |
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| 搜索关键词： | 芘衍生物 有机场效应晶体管 制备 有机半导体材料 化学反应 半导体性能 效应晶体管 噻吩单元 接触场 硅片 底栅 应用 合成 构筑 引入 开发 | ||
【主权项】：
1.用于有机场效应晶体管中有机半导体材料1，3，6，8位四取代芘衍生物，其结构为：![]()
R为以下基团：![]()
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