[发明专利]使用横向外延过生长制造肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201910428595.3 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110634940A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;H·W·田;P·菲舍尔;W·哈菲兹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L27/02;H01L21/329 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了一种二极管。所述二极管包括半导体衬底、形成在衬底上方的硬掩模、与硬掩模的侧面相邻的第一材料的垂直取向的部件、以及在硬掩模的顶部上的第一材料的横向取向的部件。所述横向取向的部件被定向在第一方向和第二方向上。二极管还包括在第一材料顶部的第二材料。第二材料形成肖特基势垒。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 第一材料 硬掩模 第二材料 横向取向 衬底 肖特基势垒 垂直取向 半导体 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种二极管，包括：/n半导体衬底；/n在所述衬底上方形成的硬掩模；/n与所述硬掩模的侧面相邻的第一材料的垂直取向的部件；/n在所述硬掩模的顶部上的所述第一材料的横向取向的部件，所述横向取向的部件被定向在第一方向和第二方向上；以及/n所述第一材料上方的第二材料，所述第二材料形成肖特基势垒。/n
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