[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910428924.4 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110289824A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 张树民;王国浩;汪泉 | 申请（专利权）人： | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) 11226 | 代理人： | 李明 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S110、提供SOI硅片，所述SOI硅片包括硅衬底以及依次形成在所述硅衬底上的埋氧层和硅结构层；S120、形成二氧化硅墙结构；S130、形成二氧化硅薄膜以作为第一钝化层；S140、形成功能器件层；S150、图形化所述二氧化硅墙结构所对应的硅结构层，以使得所述功能器件层与所述埋氧层之间形成空气隙，完成所述薄膜体声波谐振器的制备。采用二氧化硅作为器件的支撑结构，在射频下损耗较小，功能器件层生长于SOI基片本身的硅结构层上，因晶格匹配较好，有利于生长性能更好的功能器件层，有利于改善薄膜体声波谐振器器件性能等有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜体声波谐振器 功能器件 制备 二氧化硅 硅结构层 硅衬底 埋氧层 墙结构 二氧化硅薄膜 晶格匹配 器件性能 生长性能 支撑结构 钝化层 空气隙 图形化 射频 生长 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤：S110、提供SOI硅片，所述SOI硅片包括硅衬底以及依次形成在所述硅衬底上的埋氧层和硅结构层；S120、形成二氧化硅墙结构；S130、形成二氧化硅薄膜以作为第一钝化层；S140、形成功能器件层；S150、图形化所述二氧化硅墙结构所对应的硅结构层，以使得所述功能器件层与所述埋氧层之间形成空气隙，完成所述薄膜体声波谐振器的制备。
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