[发明专利]基于芴乙烯桥联芳香环核的免掺杂空穴传输材料的合成方法及其在钙钛矿电池中的应用有效
| 申请号： | 201910429077.3 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110156616B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 车广波;朱恩伟;贾宇;张云;姜威;刘春波;苏斌 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | C07C217/84 | 分类号： | C07C217/84;C07C213/08;C07D333/20;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人： | 曲德凤 |
| 地址： | 136000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及在一种基于芴乙烯桥联芳香环核的免掺杂空穴传输材料的合成方法及其在钙钛矿电池中的应用(FB‑OMeTPA和FT‑OMeTPA)。本发明方法合成步骤简易且成本低，可实现免掺杂材料的大规模制备；所发明的免掺杂材料展现了良好的成膜性及溶解性。紫外‑可见吸收光谱表明免掺杂空穴传输材料的光学带隙适中(2.03eV～2.13eV)，在600nm左右显示起始吸收峰；循环伏安曲线图表明该类免掺杂的空穴传输材料获得匹配的HOMO能级(‑5.10eV左右)，本发明的免掺杂空穴传输材料FB‑OMeTPA和FT‑OMeTPA在有机‑无机铅卤钙钛矿电池中可获取高达17％的光电转化效率，展现出了巨大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 乙烯 芳香 掺杂 空穴 传输 材料 合成 方法 及其 钙钛矿 电池 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.基于芴乙烯桥联芳香环核的免掺杂空穴传输材料，其特征在于，该材料具有以下结构式：![]()
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C07C217-00 连接在同一个碳架上的含氨基和醚化的羟基的化合物
C07C217-02 .醚化的羟基和氨基连接在同一个碳架的非环碳原子上
C07C217-52 .醚化的羟基或氨基连接在同一个碳架的除六元芳环以外的其他环的碳原子上
C07C217-54 .醚化的羟基连接在至少1个六元芳环的碳原子上和氨基连接在非环碳原子上或连接在除同一个碳架的六元芳环以外的其他环的碳原子上
C07C217-76 .带有连接在六元芳环碳原子上的氨基和连接在非环碳原子或同一碳架的除六元芳环以外的其他环碳原子上的醚化羟基
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