[发明专利]形成内存设备结构的方法及内存设备结构在审
| 申请号： | 201910430187.1 | 申请日： | 2016-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110265545A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 瑞夫·理查;蒋育德;拉恩·亚恩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成内存设备结构的方法及内存设备结构，该内存设备结构包括：一晶圆基板；一磁性隧道结(MTJ)，其由一第一磁性层、一第二磁性层及一非磁性薄层形成，该第一磁性层、该第二磁性层及该非磁性薄层沿着垂直于该晶圆基板的一上表面的一第一方向堆栈，该MTJ形成于该上表面上面，该非磁性层插在该第一磁性层与该第二磁性层之间；电性耦合至该第一磁性层的一第一接触；以及电性耦合至该第二磁性层的一第二接触。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性层 内存设备 电性耦合 晶圆基板 非磁性 上表面 薄层 磁性隧道结 非磁性层 堆栈 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种内存设备结构，其包含：一晶圆基板；一磁性隧道结(MTJ)，置于该晶圆基板的上表面上方，该磁性隧道结包含一第一磁性层、侧边相邻该第一磁性层的一第二磁性层、及置于该第一磁性层与该第二磁性层之间的一非磁性层；一第一接触，电性耦合至该第一磁性层；以及一第二接触，电性耦合至该第二磁性层；其中，该第一磁性层、该非磁性层及该第二磁性层包含一实质垂直的层堆栈，该层堆栈沿着实质垂直于该晶圆基板的该上表面的第一方向延伸。
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