[发明专利]基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910430625.4 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110030887B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 孙登强;房旷;张志铭;蒋小华;尹强;喻青霞 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
| 主分类号： | F42C19/08 | 分类号： | F42C19/08 |
| 代理公司： | 四川省天策知识产权代理有限公司 51213 | 代理人： | 郭会 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件，包括炮筒、飞片、爆炸箔组件及电缆，在炮筒上表面设有加速膛孔，在炮筒下表面设有第一共晶键合焊盘及飞片装填腔，且飞片装填腔与加速膛孔相连通；爆炸箔组件包括陶瓷基片，在陶瓷基片上表面设有爆炸箔及与第一共晶键合焊盘相对应的第二共晶键合焊盘，且在陶瓷基片上开设有贯穿陶瓷基片及爆炸箔的阵列过孔；飞片安装于炮筒的飞片装填腔内，炮筒与爆炸箔组件通过第一共晶键合焊盘与第二共晶键合焊盘的共晶键合而集成在一起，电缆焊接于陶瓷基片下表面。本发明的冲击片组件通过共晶键合工艺将陶瓷基片与带飞片装填腔的炮筒集成在一起，具备可靠性好、集成度高可批量化制造的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 共晶键合 工艺 集成 冲击 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于共晶键合工艺的集成式冲击片组件，其特征在于，包括炮筒、飞片、爆炸箔组件及电缆，在所述炮筒上表面设有加速膛孔，在炮筒下表面设有第一共晶键合焊盘及飞片装填腔，且飞片装填腔与加速膛孔相连通；所述爆炸箔组件包括陶瓷基片，在陶瓷基片上表面设有爆炸箔及与第一共晶键合焊盘相对应的第二共晶键合焊盘，且在陶瓷基片上开设有贯穿陶瓷基片及爆炸箔的阵列过孔；所述飞片安装于炮筒的飞片装填腔内，炮筒与爆炸箔组件通过第一共晶键合焊盘与第二共晶键合焊盘的共晶键合而集成在一起，所述电缆焊接于陶瓷基片下表面。
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