[发明专利]基于超表面结构的超紧凑硅波导模式转换器件有效
申请号: | 201910432113.1 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN111983754B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 王洪炜;张永;何宇;孙璐;苏翼凯 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G02B6/14 | 分类号: | G02B6/14 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王毓理;王锡麟 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种紧凑硅波导模式转换器,为基于具有倾斜的亚波长周期性扰动的电介质超曲面结构,包括:在SOI基片上蚀刻形状的若干个周期个数,周期为Λ、占空比、倾斜角度为θ的斜向亚波长扰动的顶层硅结构;本发明采用具有倾斜的亚波长扰动的全介质超表面结构,可以实现紧凑的基模到任意高阶模的硅波导模式转换,能够大幅度提升光通信容量。 | ||
搜索关键词: | 基于 表面 结构 紧凑 波导 模式 转换 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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