[发明专利]一种新型硅-有机杂化太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910432426.7 申请日: 2019-05-23
公开(公告)号: CN110299429B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 杨宇;冯廿军;于雷鸣;端勇;王荣飞;王海 申请(专利权)人: 云南大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 胡川
地址: 650091 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开了一种新型硅‑有机杂化太阳能电池及其制备方法,该制备方法利用胶带的保护,将硅基片的背面完全封闭,不让刻蚀液进入,达到保护硅基片背面的目的;在胶带保护基础上,用石英片和夹子把硅基片固定并正面朝上沉浸在刻蚀液中;在刻蚀均匀的微纳结构上,在硅基片的正面旋涂一层PEDOT:PSS减反膜以及旋涂含有二甲基亚砜和聚乙二醇辛基苯基醚的PEDOT:PSS溶液得到一层导电膜。本发明刻蚀保护操作简单,保护效果好,在此基础上得到的新型硅‑有机杂化太阳能电池的制备没有涉及到高温,而且采用了简单的旋涂工艺,可应用于工业化,在优化了材料的组分和各个制备工艺后,从而能够有效改善电池的性能。
搜索关键词: 一种 新型 有机 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种新型硅‑有机杂化太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:S1:对硅基片进行清洗后,使用胶带完全覆盖粘贴硅基片的背面,并在粘贴后将胶带摁压贴牢;S2:将硅基片贴有胶带的一面与石英片紧密贴合,并使用夹子沿硅基片的边缘将硅基片与石英片夹紧;S3:将硅基片正面朝上沉浸在刻蚀液中刻蚀硅基片的正面,以在硅基片的正面形成微纳结构;S4:在刻蚀完成后取下夹子,使用去离子水冲洗硅基片,将硅基片置于丙酮中进行浸泡处理后,取下胶带;S5:清洗并吹干硅基片,将硅基片放置在紫外臭氧装置中,对硅基片进行臭氧处理,以在硅基片的正面形成二氧化硅层;S6:在硅基片的正面旋涂PEDOT:PSS水溶液,以形成PEDOT:PSS减反膜;S7:在PEDOT:PSS减反膜表面旋涂含有二甲基亚砜和聚乙二醇辛基苯基醚的PEDOT:PSS溶液,并在氮气氛围中进行退火处理,以形成高导电率的导电膜;S8:在硅基片的背面旋涂含有PCBM的氯苯溶液,并在氮气氛围中常温静置,以形成PCBM电子传输层;S9:将硅基片置于高真空腔体中,使用热蒸镀在硅基片的背面形成铝背电极以及在硅基片的正面形成银栅线电极。
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