[发明专利]提高硅片间刻蚀速率均匀性的方法及化学气相沉积设备

摘要

本发明涉及提高硅片间刻蚀速率均匀性的方法，涉及半导体芯片制造方法，通过首先找出反应炉中与其它硅片刻蚀速率不同的硅片位置，在后续薄膜沉积工艺中，改变该硅片位置对应的加热装置在退火阶段的温度，以改变该位置硅片在退火阶段的温度，进而改变该位置的硅片的膜质，如此改变该位置处硅片的刻蚀速率，以达到薄膜沉积层的刻蚀速率的均匀性。

主权项

1.一种提高硅片间刻蚀速率均匀性的方法，其特征在于，包括：S1：将承载有硅片的晶舟置于反应炉内，向反应炉内通入反应气体，并通过温度控制模块控制反应炉在设定的沉积温度，反应气体在反应炉内反应并在硅片表面沉积成膜，然后通过温度控制模块控制反应炉在设定的退火温度进行退火，完成化学气相沉积工艺；S2：对步骤S1形成的一批硅片的薄膜沉积层进行刻蚀，并测量步骤S1形成的一批硅片的薄膜沉积层的刻蚀速率，形成样片刻蚀速率数据库；S3：将样片刻蚀速率数据传送至反应炉控制器，反应炉控制器根据样片刻蚀速率数据驱动至少一温度控制模块输出退火温度控制信号，其中所述退火温度控制信号控制的与所述温度控制模块对应的硅片的退火温度与该温度控制模块在步骤S1中输出的退火温度控制信号控制的与所述温度控制模块对应的硅片的退火温度不同；以及S4：将承载有硅片的晶舟置于反应炉内，向反应炉内通入反应气体，步骤S3中所述的至少一温度控制模块对应的硅片按步骤S3中输出的退火温度控制信号控制的退火温度进行退火。