[发明专利]阵列基板检测键及显示面板在审
申请号: | 201910432885.5 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN110112149A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 谭刚;贺超 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种阵列基板检测键及其显示面板。阵列基板检测键由下至上依次包括玻璃基板、多缓冲层、栅极绝缘层、栅极层、源漏电极层、氧化铟锡层以及平坦有机层;其中,还包括半导体层,所述半导体层设于所述多缓冲层与栅极绝缘层之间,其能够吸收部分静电对电能消耗防止所述阵列基板检测键被炸伤。显示面板包括上述阵列基板检测键。本发明通过增加所述半导体层,可增大所述阵列基板检测键的阻值,及时防止轻微的静电放电(ESD)的影响,并且所述半导体层能在阵列基板的制程中对轻微的静电放电(ESD)进行吸收和电能消耗,即所述半导体层作为电阻来降低电势差,从而减少静电击伤的概率,从而降低所述阵列基板检测键被炸伤的风险。 | ||
搜索关键词: | 阵列基板检测 半导体层 显示面板 电能消耗 栅极绝缘层 多缓冲层 静电放电 氧化铟锡层 源漏电极层 玻璃基板 静电击伤 阵列基板 电势差 有机层 栅极层 静电 电阻 吸收 制程 平坦 概率 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板检测键,由下至上依次包括玻璃基板、多缓冲层、栅极绝缘层、栅极层、源漏电极层、氧化铟锡层以及平坦有机层;其特征在于,还包括半导体层,所述半导体层设于所述多缓冲层与栅极绝缘层之间,其能够吸收部分静电对电能消耗防止所述阵列基板检测键被炸伤;其中,所述平坦有机层开设有一凹槽,所述凹槽贯穿所述平坦有机层并使所述氧化铟锡层裸露于凹槽内;所述氧化铟锡层、所述源漏电极层和所述栅极层电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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