[发明专利]阵列基板检测键及显示面板在审

专利信息
申请号: 201910432885.5 申请日: 2019-05-23
公开(公告)号: CN110112149A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 谭刚;贺超 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种阵列基板检测键及其显示面板。阵列基板检测键由下至上依次包括玻璃基板、多缓冲层、栅极绝缘层、栅极层、源漏电极层、氧化铟锡层以及平坦有机层;其中,还包括半导体层,所述半导体层设于所述多缓冲层与栅极绝缘层之间,其能够吸收部分静电对电能消耗防止所述阵列基板检测键被炸伤。显示面板包括上述阵列基板检测键。本发明通过增加所述半导体层,可增大所述阵列基板检测键的阻值,及时防止轻微的静电放电(ESD)的影响,并且所述半导体层能在阵列基板的制程中对轻微的静电放电(ESD)进行吸收和电能消耗,即所述半导体层作为电阻来降低电势差,从而减少静电击伤的概率,从而降低所述阵列基板检测键被炸伤的风险。
搜索关键词: 阵列基板检测 半导体层 显示面板 电能消耗 栅极绝缘层 多缓冲层 静电放电 氧化铟锡层 源漏电极层 玻璃基板 静电击伤 阵列基板 电势差 有机层 栅极层 静电 电阻 吸收 制程 平坦 概率
【主权项】:
1.一种阵列基板检测键,由下至上依次包括玻璃基板、多缓冲层、栅极绝缘层、栅极层、源漏电极层、氧化铟锡层以及平坦有机层;其特征在于,还包括半导体层,所述半导体层设于所述多缓冲层与栅极绝缘层之间,其能够吸收部分静电对电能消耗防止所述阵列基板检测键被炸伤;其中,所述平坦有机层开设有一凹槽,所述凹槽贯穿所述平坦有机层并使所述氧化铟锡层裸露于凹槽内;所述氧化铟锡层、所述源漏电极层和所述栅极层电性连接。
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