[发明专利]一种聚合物半导体薄膜制备方法及应用

摘要

本发明涉及一种聚合物半导体薄膜制备方法及应用，是基于衬底的叠片滴注法制备聚合物半导体薄膜，其特征在于：表面连接有羟基的上层衬底和OTS修饰的上层衬底，设计了一种叠片滴注结构，通过在该结构下的滴注成膜，实现大面积高性能聚合物半导体薄膜的制备，在衬底上生长聚合物半导体薄膜，一方面解决了传统滴注法中咖啡环效应带来的薄膜不均一问题。另一方面无需外力即可实现薄膜生长过程中的定向引导，有利于有机薄膜的定向性生长，特别利于高质量聚合物一类的薄膜制备，操作简单方便，实验要求低，无需大型仪器设备。

主权项

1.一种聚合物半导体薄膜制备方法，是基于多种衬底的PCDTPT聚合物半导体薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：利用有机溶剂配置合适浓度的聚合物溶液并充分溶解；在目标衬底表面进行十八用烷基三氯硅烷（OTS）修饰；提供表面一片面积大于目标衬底表面连接羟基的基片即下层衬底，并将目标衬底即上层衬底置于其上方中央，形成叠片结构；将步骤（1）中所述溶液滴注在步骤（2）中搭建的叠片结构上，直至溶液完全浸没上层衬底，且溶液不溢出下层衬底；将步骤（3）中全体机构置于密闭环境中，等待溶剂完全挥发后取出；将步骤（4）中上层衬底取出，置于温度为150℃下真空环境烘干180min即可得到在上层衬底上制备的聚合物半导体薄膜。