[发明专利]量子点、量子点配体的制备方法、量子点的改性方法和光电器件有效

专利信息
申请号: 201910435316.6 申请日: 2019-05-23
公开(公告)号: CN110205111B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 高远 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/88;C07C319/02;C07C321/04;H01L51/50
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 梁文惠
地址: 310052 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种量子点、量子点配体的制备方法、量子点的改性方法和光电器件。该量子点包括配体,该配体包括具有结构式MRn的第一配体,其中,M为金属离子,n等于M的化合价,且n为大于等于2的整数,各个R相同或不同并且独立地选自烷基硫醇、卤素或SCN。上述量子点的配体中金属离子和软碱的复合结构,因此在量子点表面的吸附较为稳定,进而可以维持量子点的结构、分散性的稳定性,从而可以使量子点的光学稳定性较高。
搜索关键词: 量子 点配体 制备 方法 改性 光电 器件
【主权项】:
1.一种量子点,所述量子点包括至少一种配体,其特征在于,所述配体包括具有结构式MRn的第一配体,其中,M为金属离子,n等于M的化合价,且n为大于等于2的整数,各个所述R相同或不同并且独立地选自烷基硫醇、卤素或SCN
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