[发明专利]气体分配装置及其使用方法在审
| 申请号： | 201910435359.4 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110137111A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李国强;林宗贤;薛超 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种气体分配装置及其使用方法，包括：引进单元，用于气体的引进；处理单元，将引进的气体进行方向调整；工艺腔，工艺腔内放置有待处理晶圆，方向调整后的气体与待处理晶圆进行反应；输出单元，将反应后剩余的气体输出；本发明利用处理单元不仅可以调整从引进单元引进的气体的体积量，还能调整气体的流动方向，特别是调整在引进单元边缘的气体的流动方向，通过处理单元对气体的方向调整，使得从处理单元出来的气体具有较好的方向均匀性且气体的方向平行于待处理晶圆的表面，气体到达工艺腔时，气体不会在待处理晶圆的表面上发生气体紊流的现象，保证待处理晶圆各部位上的气体具有均匀的浓度，使得处理后的晶圆的表面质量得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 处理单元 方向调整 工艺腔 气体分配装置 单元边缘 方向平行 气体紊流 输出单元 均匀性 体积量 流动 输出 保证 | ||
【主权项】：
1.一种气体分配装置，其特征在于，包括：引进单元，用于气体的引进；处理单元，将引进的气体进行方向调整；工艺腔，所述工艺腔内放置有待处理晶圆，方向调整后的气体与待处理晶圆进行反应；输出单元，将反应后剩余的气体输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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