[发明专利]互补式金氧半微机电麦克风及其制作方法有效
| 申请号： | 201910435517.6 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110316692B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王传蔚 | 申请（专利权）人： | 王传蔚 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02;H04R31/00;H04R1/08 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;马鑫 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补式金氧半微机电麦克风及其制作方法，首先，提供一互补式金氧半装置，其包含依序由下而上设置的一半导体基板、一第一氧化绝缘层、一有掺杂多晶硅层、一第二氧化绝缘层、一图案化多晶硅层与一金属布线层，金属布线层设于第二氧化绝缘层上，图案化多晶硅层包含未掺杂多晶硅。接着，移除部分的金属布线层，以形成一金属电极，并于半导体基板开设贯穿自身的一空腔，以露出第一氧化绝缘层，进而形成一微机电麦克风。本发明利用图案化多晶硅层的未掺杂多晶硅避免有掺杂多晶硅层与金属电极发生短路。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 式金氧半 微机 麦克风 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补式金氧半微机电麦克风的制作方法，其特征在于，包含：提供一互补式金氧半装置，其包含依序由下而上设置的一半导体基板、一第一氧化绝缘层、一有掺杂多晶硅层、一第二氧化绝缘层、一图案化多晶硅层与一金属布线层，该金属布线层设于该第二氧化绝缘层上，该图案化多晶硅层包含未掺杂多晶硅；以及移除部分的该金属布线层，以形成位于该未掺杂多晶硅上方的一金属电极，以利用该未掺杂多晶硅隔离该金属电极与该有掺杂多晶硅层，并于该半导体基板开设贯穿自身的一空腔(chamber)，以露出该第一氧化绝缘层，进而形成一微机电麦克风。
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