[发明专利]可实现宽频带单向高透射的波导型光子晶体异质结构有效

专利信息
申请号: 201910436968.1 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN110133800B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 费宏明;张琦;武敏;林翰;杨毅彪;张明达;刘欣;曹斌照;田媛 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/12
代理公司: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14110 代理人: 任林芳
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明属于微纳光电器件研究技术领域,提出了一种可实现宽频带单向高透射的波导型光子晶体异质结构,包括分别设置在异质结界面两侧的二氧化硅基底和锗基底,二氧化硅基底和锗基底在同一平面上;所述二氧化硅基底内周期性填充有多个锗圆柱,形成第一光子晶体,所述锗圆柱的轴向与二氧化硅基底平面垂直;所述锗基底内周期性填充有多个二氧化硅圆柱,形成第二光子晶体,二氧化硅圆柱的轴向与锗基底平面垂直;光线从第一光子晶体一侧入射,入射方向与所述异质结界面呈60°夹角。本发明在光通信中心波长1550nm处,TE偏振态下正向透射率为0.90,透射对比度为0.98。在1450nm~1650nm范围内,TE偏振态下正向透射率达0.78以上和透射对比度达0.86以上。
搜索关键词: 实现 宽频 单向 透射 波导 光子 晶体 结构
【主权项】:
1.一种可实现宽频带单向高透射的波导型光子晶体异质结构,其特征在于,包括衬底层(8)和设置在衬底层(8)上的二氧化硅基底(2)和锗基底(3),所述二氧化硅基底(2)和锗基底(3)分别设置在异质结界面(1)两侧;所述二氧化硅基底(2)内填充有多个周期性排列的锗圆柱(4),形成第一光子晶体,所述锗圆柱(4)的轴向与二氧化硅基底(2)平面垂直;所述锗基底(3)内填充有多个周期性排列的二氧化硅圆柱(5),形成第二光子晶体,二氧化硅圆柱(5)的轴向与锗基底(3)平面垂直;光线从第一光子晶体一侧入射,入射方向与所述异质结界面(1)呈60°夹角。
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