[发明专利]绝缘栅双极型晶体管在审
| 申请号： | 201910437976.8 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110112213A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张斌;鄢细根;黄种德 | 申请（专利权）人： | 厦门中能微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 谭琳娜 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)自*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括N‑基区、P+基区、N+发射极区、发射极、栅氧化层、栅电极、N型缓冲层、P+集电极区、薄二氧化硅层、N型多晶硅区和金属集电极，其特征在于：所述的N型缓冲层与P+集电极区向远离N‑基区方向依次层叠；所述的薄二氧化硅层与N型多晶硅区由P+集电极区向远离N型缓冲层方向依次层叠组成一个多晶硅发射极区，且此多晶硅发射极区未完全覆盖P+集电极区。N型缓冲层、P+集电极区与多晶硅发射极区构成了一个可以快速开关的多晶硅发射极NPN型三极管，使得器件关断时，形成非平衡载流子抽取的快速通道，帮助绝缘栅双极型晶体管实现迅速开关。 | ||
| 搜索关键词： | 集电极区 绝缘栅双极型晶体管 多晶硅发射极区 基区 薄二氧化硅层 依次层叠 多晶硅发射极 非平衡载流子 金属集电极 发射极区 快速开关 快速通道 栅氧化层 发射极 栅电极 关断 抽取 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：N‑基区、P+基区、N+发射极区、发射极、栅氧化层、栅电极、N型缓冲层、P+集电极区、薄二氧化硅层、N型多晶硅区和金属集电极，其特征在于：P+基区、N+发射极区、发射极、栅氧化层与栅电极在N‑基区的一侧；所述的N+发射区在P+集电极区远离N‑基区的一侧；所述的发射极覆盖在P+基区与N+发射极区之上，并远离N‑基区；所述的栅氧化层覆盖在N‑基区、P+基区与N+发射极区之上，并不与发射极接触；N型缓冲层、P+集电极区、薄二氧化硅层、N型多晶硅区和金属集电极在N‑基区的另一侧；所述的N型缓冲层与P+集电极区向远离N‑基区方向依次层叠；所述的薄二氧化硅层与N型多晶硅区由P+集电极区向远离N型缓冲层方向依次层叠组成一个多晶硅发射极区，且此多晶硅发射极区未完全覆盖P+集电极区；所述的N型缓冲层与N型多晶硅区的掺杂类型均为N型掺杂，P+集电极区为P型掺杂；N型缓冲层、P+集电极区与N型多晶硅区的掺杂浓度依次增加；所述的金属集电极覆盖在N型多晶硅区和P+集电极区之上。
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