[发明专利]一种垂直异质结材料及化学气相沉积装置在审

专利信息
申请号: 201910438941.6 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN110047912A 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 孔伟成;赵勇杰 申请(专利权)人: 合肥本源量子计算科技有限责任公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/225;C23C16/26;C23C16/30;C23C16/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230008 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明属于化学气相沉积领域,具体公开了一种垂直异质结材料及化学气相沉积装置,公开的垂直异质结材料为由石墨烯类材料和过渡金属二硫族化物材料组成的至少两层结构的垂直异质结;其中,所述石墨烯类材料和所述过渡金属二硫族化物材料均采用化学气相沉积法制备;所述石墨烯类材料为所述过渡金属二硫族化物材料的基底材料。本发明提供的化学气相沉积装置能够实现包含过渡金属二硫族化物(TMDs)的多层异质结的生长,为基于过渡金属二硫族化物(TMDs)的多层异质结的研究提供基础和支撑。
搜索关键词: 过渡金属 化学气相沉积装置 硫族化物材料 石墨烯类材料 异质结材料 垂直 化学气相沉积 多层异质结 硫族化物 基底材料 两层结构 异质结 生长 支撑 研究
【主权项】:
1.一种垂直异质结材料,其特征在于:所述垂直异质结材料为由石墨烯类材料和过渡金属二硫族化物材料组成的至少两层结构的垂直异质结;其中,所述石墨烯类材料和所述过渡金属二硫族化物材料均采用化学气相沉积法制备;所述石墨烯类材料为所述过渡金属二硫族化物材料的基底材料。
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