[发明专利]一种高成品率铸造单晶硅生长方法和热场结构有效
| 申请号： | 201910439879.2 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110106546B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 余学功;张志强;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高成品率的铸造单晶硅生长方法：将籽晶固定于籽晶夹持机构上，对热场中的硅料加热熔化，保持籽晶和顶部塑型加热器的高度位于硅料溶体液面以上；硅料熔化完成后，籽晶夹持架构引导籽晶籽晶浸入硅料熔体液面以下；当硅料熔体液面下籽晶部分熔化，形成新的固液界面后籽晶夹持机构向上提拉，硅料熔体从籽晶面向下结晶形成晶锭；在籽晶夹持机构向上提拉过程中，热场的顶部散热门向两边打开，顶部塑型加热器随硅料熔体液面下移；结晶过程完成后，保持顶部散热门为最大开口，分离籽晶，取出晶锭。本发明还公开了一种采用上述方法的热场结构。该方法和热场结构可以减少铸造单晶硅晶锭头、尾及边片的低少子红区截断量，提高产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 成品率 铸造 单晶硅 生长 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高成品率的铸造单晶硅生长方法，其特征在于，所述铸造单晶硅生长方法包括以下步骤：(1)将籽晶固定于籽晶夹持机构上，对热场中的硅料加热熔化，在加热熔化阶段，保持籽晶和顶部塑型加热器的高度位于硅料溶体液面以上；(2)硅料熔化完成后，籽晶夹持架构引导籽晶接触熔体液面，使籽晶浸入硅料熔体液面以下；当硅料熔体液面下籽晶部分熔化，形成新的固液界面后籽晶夹持机构向上提拉，硅料熔体从籽晶面向下结晶形成晶锭；在籽晶夹持机构向上提拉过程中，热场的顶部散热门向两边打开，顶部塑型加热器随硅料熔体液面下移并位于硅料熔体液面以下；(3)结晶过程完成后，保持顶部散热门为最大开口，分离籽晶夹持夹持机构与籽晶，取出晶锭。
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