[发明专利]一种半导体纳米线传感器在审
| 申请号： | 201910440024.1 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110116987A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;赵丹娜;陈顺姬;李志瑞 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体纳米线器件技术领域，提供了一种半导体纳米线传感器，在具有导电层的绝缘衬底上制备具有特定深宽比的凹槽结构，使凹槽两侧的导电层相互隔绝；然后在凹槽底部设置表面改性层，覆盖凹槽底部；接着在导电层侧壁生长纳米线，使纳米线桥接凹槽两侧的导电层，同时该生长过程也会在凹槽内产生沉积物。通过设计凹槽的深宽比以及引入表面改性层，可以减少或消除凹槽底部的沉积物，从而消除桥接纳米线的旁路电流。此外，利用桥接纳米线的多次生长，可以提高纳米线的桥接几率、总表面积以及生长可控程度。本发明解决了现有桥接纳米线生长过程中凹槽内的沉积物问题，提高了纳米线传感器的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 半导体纳米线 导电层 传感器 米线 沉积物 表面改性层 凹槽两侧 生长过程 深宽比 接纳 桥接 生长 器件技术领域 沉积物问题 导电层侧壁 凹槽结构 电学特性 旁路电流 中凹槽 衬底 绝缘 可控 制备 引入 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体纳米线传感器，包括设置有凹槽结构的绝缘衬底、导电层和桥接纳米线，其特征在于：所述导电层设置在所述绝缘衬底凹槽结构的两个凸起上，一个凸起上的导电层作为半导体纳米线传感器的源电极，另一个凸起上的导电层作为半导体纳米线传感器的漏电极，所述源电极与漏电极通过桥接纳米线连接；凹槽的深宽比大于0.2；在凹槽结构内设置表面改性层，用于减少凹槽内产生的沉积物。
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