[发明专利]成膜方法及成膜装置有效
| 申请号： | 201910440025.6 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110578130B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 中村秀雄;芹泽洋介;出野由和;芦泽宏明;清水隆也;村上诚志 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜方法，其是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，/n所述方法重复进行如下工序：/n原料气体吸附工序，包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；和,/n氮化工序，包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；/n且供给肼系化合物气体作为所述氮化气体的一部分或者全部。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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