[发明专利]防止晶圆被金属离子污染的方法及系统在审
| 申请号： | 201910440222.8 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110534406A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵志伟;王恕言 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谢强;黄艳<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种防止晶圆被金属离子污染的方法和系统，该方法包括接收来自第一稀释槽的晶圆；将晶圆浸泡在去离子槽中，其中去离子槽包括槽溶液，而槽溶液包括去离子溶液；判断在槽溶液中金属离子浓度；因应金属离子浓度大于阈值的判断而在去离子槽中进行整治；以及移动晶圆至第二稀释槽。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 离子槽 金属离子 稀释槽 金属离子污染 去离子溶液 浸泡 移动 | ||
【主权项】：
1.一种防止晶圆被金属离子污染的方法，包括：/n接收来自一第一稀释槽的一晶圆；/n将该晶圆浸泡在一去离子槽中，其中该去离子槽包括一槽溶液，而该槽溶液包括一去离子溶液；/n判断在该槽溶液中的一金属离子浓度；/n因应该金属离子浓度大于一阈值的判断而在该去离子槽中进行整治；以及/n移动该晶圆至一第二稀释槽。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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