[发明专利]3D堆叠式CMOS图像传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910440475.5 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110164893A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 林宗德;杨龙康;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种3D堆叠式CMOS图像传感器及其制备方法，3D堆叠式CMOS图像传感器包括：逻辑晶圆；像素晶圆，键合于逻辑晶圆上；隔热材料层，位于逻辑晶圆与像素晶圆之间，且覆盖像素晶圆的表面；隔热材料层用于阻止逻辑晶圆产生的热量向像素晶圆传递。本发明通过在像素晶圆与逻辑晶圆之间增设隔热材料层，可以阻止逻辑晶圆产生的热量向像素晶圆传递，减小像素晶圆上的暗电流，从而减小3D堆叠式CMOS图像传感器的噪音，提高3D堆叠式CMOS图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 像素 堆叠式 隔热材料层 减小 制备 暗电流 与逻辑 传递 键合 噪音 增设 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种3D堆叠式CMOS图像传感器，其特征在于，包括：逻辑晶圆；像素晶圆，键合于所述逻辑晶圆上；隔热材料层，位于所述逻辑晶圆与所述像素晶圆之间，且覆盖所述像素晶圆的表面；所述隔热材料层用于阻止所述逻辑晶圆产生的热量向所述像素晶圆传递。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
