[发明专利]一种盖板IM镀膜结构及制备方法在审
申请号: | 201910442098.9 | 申请日: | 2019-05-24 |
公开(公告)号: | CN110205594A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 李智超;毕文江;朱金波;孙波;曹志嫦;雷鸣宇 | 申请(专利权)人: | 河南镀邦光电股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/02;C23C14/58 |
代理公司: | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 | 代理人: | 秦舜生 |
地址: | 473000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种盖板IM镀膜结构及制备方法,一种盖板IM镀膜结构及制备方法,所述盖板IM镀膜机构包括由基板后依次交替镀制SIO2或AL2O3中的低折射率材料和TI3O5或NB2O5中的高折射率薄膜,所述低折射率材料所含膜层厚度为10‑1000nm,所述高折射率材料膜层厚度为10‑1000nm。 | ||
搜索关键词: | 盖板 镀膜结构 制备 低折射率材料 高折射率材料膜层 高折射率薄膜 镀膜 镀制 基板 膜层 | ||
【主权项】:
1.一种盖板IM镀膜结构及制备方法,其特征在于:所述盖板IM镀膜机构包括由基板后依次交替镀制SIO2或AL2O3中的低折射率材料和TI3O5或NB2O5中的高折射率薄膜,所述低折射率材料所含膜层厚度为10‑1000nm,所述高折射率材料膜层厚度为10‑1000nm;盖板IM镀膜其制备方法,包括以下步骤:A)将低折射率材料靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射,在衬底上沉积得到低折射率膜层,工作气体为氩气,所述反应气体为氧气;氩气:氧气体积比=(1~3):(2~4);氩气流量为250‑350SCCM;氧气流量150‑450SCCM;磁控溅射的气压为1.0‑2.0*10‑3Pa;磁控溅射的功率为7‑‑‑15kw;磁控溅射的氧化功率为1.5‑‑‑3kw;B)将高折射率材料靶材在工作气体与反应气体的环境中进行磁控溅射,在衬底上沉积得到高折射率膜层,工作气体为氩气,所述反应气体为氧气;氩气:氧气体积比=(1~3):(2~4);氩气流量为250‑350SCCM;氧气流量150‑300SCCM;磁控溅射的气压为1.0‑5.0*10‑3Pa;磁控溅射的功率为5.5‑‑‑15kw;磁控溅射的氧化功率为1.5‑‑‑3kw;C)将所述衬底上的非丝印区薄膜褪镀掉;褪镀温度为80—120摄氏度;褪镀液PH值为10—15;褪镀时间为0—30S。
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