[发明专利]一种非挥发铁电存储器三维存储的结构

摘要

本发明公开了一种非挥发铁电存储器三维存储的结构，包括基底层、设置在基底层上的多层铁电薄膜存储层晶圆和设置在多层铁电薄膜存储层晶圆上的金属互连层，各层铁电薄膜存储层晶圆通过通孔电极上下相连，其中，铁电薄膜存储层晶圆上排列高密度铁电存储单元，所述基底层可控制各层铁电存储单元；克服目前存储器容量提升常规方法通过存储单元做得更小，且需要全面更新半导体制造设备，导致整体集成电路生产建设成本高昂的问题。在不改变集成电路生产线的半导体工艺节点，而只是在存储器件结构上作改变，即实现成倍的数据信息容量提升、结构简单，方便实用，可广泛应用于下一代高密度非挥发铁电存储器芯片。