[发明专利]垂直发射GaAs纳米线阵列光电阴极及制备方法在审
| 申请号： | 201910443189.4 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110491751A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;刁煜;夏斯浩;陆菲菲;田健 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 32203 南京理工大学专利中心 | 代理人： | 朱宝庆<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直发射GaAs纳米线阵列光电阴极，包括p型GaAs衬底层、p型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层、Cs/O激活层；其中p型GaAs衬底层设置于最下方，p型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层包括若干设置于p型GaAs衬底层上底面的等厚的带有陷光结构的p型变掺杂GaAs纳米线，Cs/O激活层若干且分别设置于相应的p型变掺杂GaAs纳米线上底面。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线阵列 掺杂 发射层 激活层 纳米线 垂直发射 光电阴极 陷光结构 上底面 等厚 | ||
【主权项】：
1.一种垂直发射GaAs纳米线阵列光电阴极，其特征在于，包括p型GaAs衬底层(1)、p型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层(2)、Cs/O激活层(4)；其中/np型GaAs衬底层(1)设置于最下方，/np型变掺杂GaAs纳米线阵列发射层(2)包括若干设置于p型GaAs衬底层(1)上底面的等厚的带有陷光结构的p型变掺杂GaAs纳米线，/np型变掺杂GaAs纳米线之间的间距相等，/nCs/O激活层(4)若干且分别设置于相应的的p型变掺杂GaAs纳米线上底面。/n
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