[发明专利]碳化硅平面的芬顿反应和洛伦兹力协同抛光方法有效
| 申请号： | 201910443699.1 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110355613B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 赵军;彭浩然;方海东 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B41/06 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 王利强 |
| 地址： | 310014 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种碳化硅平面的芬顿反应和洛伦兹力协同抛光方法，碳化硅平面抛光通过低压磨粒流实现；低压磨粒流的流道顶面倾斜角度可调，通过更换置于加工装置内的角度块零件实现；芬顿反应是对碳化硅工件的表面预处理，在抛光前通过芬顿反应使碳化硅工件表面生成二氧化硅薄层，降低工件表面硬度；洛伦兹力为磁场对带电磨粒的作用力；磁场为置于加工装置后方的电磁铁所产生的平行于工件表面且垂直于磨粒流流动方向的强度可调均匀磁场，在所述磁场的作用下，流场中运动的带正电磨粒受到垂直指向工件表面的洛伦兹力作用，向工件表面运动；带正电磨粒为表面带正电荷的氧化铝磨粒。本发明抛光后工件表面粗糙度均匀、表面质量高、加工效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 平面 芬顿反 应和 洛伦兹力 协同 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅平面的芬顿反应和洛伦兹力协同抛光方法，其特征在于，碳化硅平面抛光通过低压磨粒流实现；所述低压磨粒流的流道顶面倾斜角度可调，通过更换置于加工装置内的角度块零件实现；所述芬顿反应是对碳化硅工件的表面预处理，在抛光前通过芬顿反应使碳化硅工件表面生成二氧化硅薄层，降低工件表面硬度；所述洛伦兹力为磁场对带电磨粒的作用力；所述磁场为置于加工装置后方的电磁铁所产生的平行于工件表面且垂直于磨粒流流动方向的强度可调均匀磁场，在所述磁场的作用下，流场中运动的带正电磨粒受到垂直指向工件表面的洛伦兹力作用，向工件表面运动；所述带正电磨粒为表面带正电荷的氧化铝磨粒。
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