[发明专利]一种TFT阵列基板的制作方法及阵列基板

摘要

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法及阵列基板，其中所述方法包括如下步骤：在基板上形成沉积第一金属层；在第一金属层上依次沉积栅极绝缘层、半导体有源层和蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层的上涂布光阻，通过黄光制程透过第一灰阶光罩进行曝光，以第一金属层为光罩通过背光源进行背面曝光；对曝光后的光阻进行显影、蚀刻，并在蚀刻完成后剥离剩余光阻；在蚀刻阻挡层上再次涂布光阻，通过相同的第一灰阶光罩进行曝光显影，并蚀刻出ES过孔和DC过孔；剥离再次涂布的光阻，在栅极绝缘层和蚀刻阻挡层沉积并蚀刻出第二金属层。本方案中能够减少光罩的使用，简化阵列基板工艺制程，降低制造成本的同时，还能够提高产品的生产良率。

主权项

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成沉积第一金属层并制作栅极驱动电路；在第一金属层上依次沉积栅极绝缘层、半导体有源层和蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层的上涂布光阻，通过黄光制程透过第一灰阶光罩进行曝光，其中第一灰阶光罩具有两种不同光线穿透率的第一孔道和第二孔道，且第一孔道的光线穿透率小于第二孔道；以第一金属层为光罩通过背光源进行背面曝光；对曝光后的光阻进行显影、蚀刻，并在蚀刻完成后剥离剩余光阻；在蚀刻阻挡层上再次涂布光阻，通过相同的第一灰阶光罩进行曝光显影，并蚀刻出ES过孔和DC过孔；剥离再次涂布的光阻，在栅极绝缘层和蚀刻阻挡层沉积并蚀刻出第二金属层。