[发明专利]半导体装置的精密互连形成方法有效
| 申请号： | 201910444283.1 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111293075B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的精密互连形成方法，包含在位于介电层上的第一硬遮罩层及第二硬遮罩层上形成间隔物，其中第一硬遮罩层位于第二硬遮罩层与介电层之间；在第一硬遮罩层、第二硬遮罩层、以及介电层中形成第一通孔；氧化第一硬遮罩层环绕第一通孔的侧壁；在第二硬遮罩层中形成第二通孔；形成遮罩以覆盖位于第二通孔内的第一硬遮罩层；在第二硬遮罩层自间隔物及遮罩暴露的一部分、以及位于此部分的第二硬遮罩层下方的第一硬遮罩层及介电层形成线型沟槽；以及在线型沟槽及第一通孔中形成导电材料。因此，半导体装置的精密互连形成方法可形成具有精密图案的互连结构，且可达到具有微小节距的精密互连中的金属线及导电通孔的对准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 精密 互连 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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