[发明专利]传感器装置和制造传感器装置的方法有效
| 申请号： | 201910444378.3 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110658354B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | G·宾德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P3/487 | 分类号： | G01P3/487;G01R33/07 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;闫昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种传感器装置和一种制造传感器装置的方法。传感器装置包括在第一方向上磁化的磁体。此外，传感器装置包括布置在磁体上的差分磁场传感器，其具有第一传感器元件和第二传感器元件，其中这些传感器元件在垂直于第一方向的第二方向上间隔开。第一传感器元件和第二传感器元件被设置为，在垂直于第一方向并垂直于第二方向的第三方向上检测磁场分量。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种传感器装置，包括：/n在第一方向上磁化的磁体；和/n布置在所述磁体上的差动磁场传感器，所述差动磁场传感器具有第一传感器元件和第二传感器元件，其中所述传感器元件在垂直于所述第一方向的第二方向上间隔开，/n其中，所述第一传感器元件和所述第二传感器元件被设置为，在垂直于所述第一方向并垂直于所述第二方向的第三方向上检测磁场分量。/n
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