[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201910444502.6 | 申请日： | 2013-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110277446A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘柏均;喻中一;陈祈铭;江振豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/43;H01L29/205;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/201 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)内的双层AlGaN供体层和相关的制造方法，该高电子迁移率晶体管被配置为提供低电阻欧姆源极和漏极接触件以降低功率消耗同时在HEMT的沟道内保持二维电子气(2DEG)的高迁移率。双层AlGaN供体层包括AlzGa(1‑z)N迁移率提高层和设置在迁移率提高层的上方的AlxGa(1‑x)N电阻降低层，其中，欧姆源极和漏极接触件与HEMT连接。GaN沟道层(其中存在2DEG)设置在迁移率提高层的下方以形成HEMT的沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 迁移率 漏极接触 供体层 沟道 源极 二维电子气 电阻降低 高迁移率 降低功率 低电阻 消耗 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：沟道层，设置在衬底的上方；供体层，设置在所述沟道层上，所述供体层包括：AlzGa(1‑z)N的迁移率提高层，设置在所述沟道层上，其中，第三摩尔分数z小于0.4并且大于0.25；和AlxGa(1‑x)N的电阻降低层，设置在所述迁移率提高层的上方，其中，第一摩尔分数x小于0.15并且大于0.1；源极欧姆接触件，与所述电阻降低层连接并设置在源极区的上方；以及漏极欧姆接触件，与所述电阻降低层连接并设置在漏极区的上方；其中，所述供体层具有从所述源极欧姆接触件和所述漏极欧姆接触件至所述沟道层单调递减的导带的能量，所述导带在所述供体层和所述沟道层之间形成的异质结处陡降至费米能级以下，所述导带的能量的分布曲线具有从所述AlxGa(1‑x)N的电阻降低层开始随着与所述沟道层的距离的减小而减小的斜率，其中，所述源极区和所述漏极区位于所述供体层中并位于所述沟道层上方。
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