[发明专利]一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其生长方法和应用有效
| 申请号： | 201910444904.6 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110129878B | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 姚淑华;张航飞;吕洋洋;曹琳;陈延彬;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/46;H01L35/16 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 汪泉 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 载流子 浓度 snse 晶体 及其 生长 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有高载流子浓度的SnSe晶体，其特征在于，所述SnSe晶体的导电性能呈金属特性，在2K～300K温度下，所述SnSe晶体的载流子浓度在1019/cm3量级，优选2.75×1019～2.88×1019/cm3，所述SnSe晶体的电阻率低于2.5mΩ·cm，优选为约0.37～2.22mΩ·cm。
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