[发明专利]一种BBO晶体增厚的生长方法在审
| 申请号： | 201910445057.5 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110042463A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;陈伟;谢发利;张星;陈秋华 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B17/00 | 分类号： | C30B17/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明采用两段加热，BBO晶体处于中间区，采用籽晶中部生长法，利用上下区熔体强制对流，加快溶质输送，获得厚度大的BBO晶体毛坯。 | ||
| 搜索关键词： | 两段加热 强制对流 上下区 中间区 生长 毛坯 熔体 溶质 增厚 籽晶 | ||
【主权项】：
1.一种BBO晶体增厚的生长方法采用晶体生长设备含上下两个加热区，中间一个过冷区，中间区高度40mm，中间区温度梯度为5~10℃，坩埚中部置于中间区中部，籽晶置于坩埚中部，降温速率1℃/天，其特征在于利用上下区温度梯度，带动熔体中部强制对流，加快溶质输送，籽晶在中间区稳定生长，得到厚度大的BBO晶体。
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