[发明专利]半导体装置的制造方法和基板处理装置在审
| 申请号： | 201910445691.9 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110544650A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 山口达也;野泽秀二;佐藤渚 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置的制造方法和基板处理装置。本发明提供一种能确保层间绝缘膜的机械强度的技术。本公开的一方式的半导体装置的制造方法包括如下工序：填埋工序、氧化膜形成工序和脱离工序。填埋工序中，以具有脲键的聚合物填埋形成于基板上的孔隙。氧化膜形成工序中，在前述基板上形成氧化膜。脱离工序中，使前述聚合物解聚，由此使解聚后的前述聚合物通过前述氧化膜而从前述孔隙脱离。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 填埋 氧化膜形成工序 半导体装置 氧化膜 解聚 脱离 基板处理装置 层间绝缘膜 前述基板 基板 脲键 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：/n填埋工序，以具有脲键的聚合物填埋形成于基板上的孔隙；/n氧化膜形成工序，在所述基板上形成氧化膜；和，/n脱离工序，使所述聚合物解聚，由此使解聚后的所述聚合物通过所述氧化膜而从所述孔隙脱离。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910445691.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
