[发明专利]一种AuPd/ZnIn2S4复合纳米片材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极材料的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明首先配制ZnIn₂S₄纳米片生长溶液，再采用水热法制备ZnIn₂S₄纳米片片光电极；然后配制氯金酸溶液和氯化钯溶液，采用光还原的方法制备AuPd二元合金，制备AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极材料。本发明所获得的AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极，经各种测试后，光电流较ZnIn₂S₄纳米片光电极提高400%，且本发明提供的制备方法简单易操作，具有实际的可行性，制备的AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极成本低，光电催化分解水性能良好。

主权项

1.一种AuPd/ ZnIn₂S₄复合纳米片光电极材料的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：步骤一：制备ZnIn₂S₄复合纳米片光电极；（1）配制ZnIn₂S₄纳米片生长溶液：将0.6mmol氯化锌、1.2mmol氯化铟、60‑140ml无水乙醇混合，搅拌10‑60分钟；再向上述溶液中加入2.4‑4.8mmol硫代乙酰胺，再继续搅拌10‑60分钟，得到ZnIn₂S₄纳米片生长溶液；（2）采用水热法制备ZnIn₂S₄纳米片片光电极：将洁净的FTO导电玻璃的导电膜向下，倾斜30‑60º放入水热釜中，加入步骤一（1）制得的ZnIn₂S₄纳米片生长溶液，在140‑200 ℃下水热生长8‑24 小时，自然冷却至室温、真空烘干，得到FTO导电玻璃的ZnIn₂S₄复合纳米片光电极；步骤二：制备AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极；（1）配制Au反应液、Pd反应液：将四水氯金酸溶解于水中；将氯化钯、稀盐酸溶液溶解于水中，分别搅拌10‑60分钟，超声10‑30分钟，分别得到Au反应液、Pd反应液；然后分别量取Au、Pd反应液溶液并放置在同一个烧杯中，用去离子水稀释5‑10倍，得到Au、Pd反应的混合液；所述Au反应液中四水氯金酸的摩尔浓度1mmol/L 所述Pd反应液中氯化钯的摩尔浓度1mM ，稀盐酸的摩尔浓度为1 mol/L；所述Au反应液、Pd的混合液中，Au反应液与Pd反应液的体积比为1:1；（2）制备AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极：将步骤一（2）制备的ZnIn₂S₄纳米片光电极放置在表面皿中，导电面向上，在光电极正上方放置没有加滤光片、功率为100‑500W的氙灯，将步骤二（1）中的Au、Pd混合液倒入表面皿中，打开氙灯照射30‑300秒，拿出表面皿并在烘箱40‑80℃烘干，得到AuPd/ZnIn₂S₄复合纳米片光电极。