[发明专利]基于亲疏水阵列的单层纳米颗粒二聚体及多聚体制备方法在审
| 申请号： | 201910446280.1 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110203878A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 朱利;苏靖婷;李可欣;陆辉;张若虎;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于亲疏水阵列的单层纳米颗粒二聚体及多聚体制备方法，包括以下步骤：1)键合表面具有亲疏水阵列的聚二甲基硅氧烷基片即PDMS基片、具有微通道的聚二甲基硅氧烷盖片即PDMS盖片，制备得到集成亲疏水阵列的微流控器件；2)向集成亲疏水阵列的微流控器件中注入纳米颗粒溶液，纳米颗粒由于其自身的亲水性或疏水性而选择性地吸附于亲水区域或疏水区域；3)洗去微流控器件中未吸附的纳米颗粒，由微流控器件中亲水区域尺寸或疏水区域尺寸的限制形成单层纳米颗粒二聚体或多聚体。该方法解决了传统的纳米颗粒二聚体及多聚体制备中纳米颗粒间距难调控、产率低等问题，实现间距易调且高产率的纳米颗粒二聚体及多聚体的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米颗粒 二聚体 亲疏水 微流控器件 单层 亲水区域 疏水区域 多聚体 吸附 制备 聚二甲基硅氧烷盖片 聚二甲基硅氧烷基 纳米颗粒溶液 键合表面 传统的 高产率 亲水性 疏水性 微通道 产率 盖片 调控 | ||
【主权项】：
1.一种基于亲疏水阵列的单层纳米颗粒二聚体及多聚体制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：1)将表面具有亲疏水阵列的聚二甲基硅氧烷基片即PDMS基片、具有微通道的聚二甲基硅氧烷盖片即PDMS盖片二者键合，制备得到集成亲疏水阵列的微流控器件；2)向集成亲疏水阵列的微流控器件中注入纳米颗粒溶液，纳米颗粒由于自身的亲水性或疏水性而选择性地吸附于亲水区域或疏水区域；3)洗去微流控器件中未吸附的纳米颗粒，由微流控器件中亲水区域尺寸或疏水区域尺寸的限制形成单层纳米颗粒二聚体或多聚体。
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