[发明专利]一种柔性有机单晶场效应晶体管及其制备方法在审
申请号: | 201910447268.2 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN110137358A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 陈鸿铭;曹菊鹏;孟鸿 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/05 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 518055 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种柔性有机单晶场效应晶体管及其制备方法,其中,所述柔性有机单晶场效应晶体管的制备方法通过制备有机半导体单晶薄膜,之后再配制高绝缘性聚合物溶液,并通过溶液加工将所述高绝缘性聚合物溶液涂覆于柔性栅极衬底的表面,形成介电层;再将所述有机半导体单晶薄膜转移至涂覆有介电层的柔性栅极衬底表面;之后在所述有机半导体单晶薄膜的两端分别进行蒸镀电极处理,得到柔性有机单晶场效应晶体管。本发明通过溶液加工得到高介电常数的介电层和超薄的有机半导体单晶薄膜,并采用简单的方法实现有机半导体单晶薄膜的转移,从而降低了柔性有机单晶场效应晶体管的工作电压,并提高了柔性有机单晶场效应晶体管的迁移率。 | ||
搜索关键词: | 场效应晶体管 有机单晶 有机半导体单晶 制备 薄膜 介电层 聚合物溶液 高绝缘性 溶液加工 栅极衬 涂覆 高介电常数 薄膜转移 电极处理 工作电压 迁移率 蒸镀 配制 | ||
【主权项】:
1.一种柔性有机单晶场效应晶体管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:制备有机半导体单晶薄膜;配制高绝缘性聚合物溶液,并通过溶液加工将所述高绝缘性聚合物溶液涂覆于柔性栅极衬底的表面,形成介电层;将所述有机半导体单晶薄膜转移至涂覆有介电层的柔性栅极衬底表面;在所述有机半导体单晶薄膜的两端分别进行蒸镀电极处理,得到柔性有机单晶场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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