[发明专利]一种数值积分参数化电离层层析方法有效
申请号: | 201910448560.6 | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN110031489B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 陈必焰 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | G01N23/044 | 分类号: | G01N23/044 |
代理公司: | 长沙欧诺专利代理事务所(普通合伙) 43234 | 代理人: | 欧颖;张文君 |
地址: | 410083 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种数值积分参数化电离层层析方法,将各体素内各位置点的电子密度值并不定义为一致,而是将体素内任意位置点的电子密度值与体素的8个体素节点的电子密度值关联,将电子含量表示为与体素节点的电子密度值相关的表达式的积分,体素内任意位置点的电子密度值由体素的8个体素节点电子密度值内插得到,通过求取体素的8个体素节点的电子密度值而能够求得体素内任意位置点的电子密度值,进而得到被测电离层范围内电子密度分布规律的更高精度的图像。本发明克服了以往建模中体素内电子密度看作均匀不变所带来的缺陷,精化了电离层层析模型,提高了建模精度。本发明能够更加准确的构建电离层层析模型,相较于传统方法提高了20%。 | ||
搜索关键词: | 一种 数值 积分 参数 电离层 层析 方法 | ||
【主权项】:
1.一种数值积分参数化电离层层析方法,其特征在于,所述电离层层析方法是基于体素基电离层层析模型,但将各体素内各位置点的电子密度值并不定义为一致,而是将体素内任意位置点的电子密度值与体素的8个体素节点的电子密度值关联,将倾斜总电子含量表示为与体素节点的电子密度值相关的表达式的积分,体素内任意位置点的电子密度值由体素的8个体素节点电子密度值内插得到,通过求取体素的8个体素节点的电子密度值而能够求得体素内任意位置点的电子密度值,进而得到被测电离层范围内电子密度分布规律的更高精度的图像。
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