[发明专利]制造半导体装置的方法和形成套刻键图案的方法在审
| 申请号： | 201910449558.0 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110544622A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 闵太泓;黄灿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L23/544 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;韩明花<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种制造半导体装置的方法和一种形成套刻键图案的方法。所述制造半导体装置的方法包括提供包括第一区域和第二区域的基底。所述方法包括在基底上形成第一层。第一层具有在第一区域上的第一孔和在第二区域上的第二孔。所述方法包括在第一孔和第二孔中形成第二层。所述方法包括在基底的第二区域上形成掩模图案。所述方法包括对第二层进行抛光，以在第一孔中形成图案并且在第二孔中形成套刻键图案。套刻键图案的顶表面比第一孔中的图案的顶表面更远离基底。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 图案 第二区域 套刻 半导体装置 第一区域 第一层 顶表面 掩模图案 抛光 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：/n提供包括第一区域和第二区域的基底；/n在基底上形成第一层，第一层具有在第一区域上的第一孔和在第二区域上的第二孔；/n在第一孔和第二孔中形成第二层；/n在基底的第二区域上形成掩模图案；以及/n对第二层进行抛光，以在第一孔中形成图案并且在第二孔中形成套刻键图案，/n其中，套刻键图案的顶表面比第一孔中的图案的顶表面更远离基底。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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