[发明专利]石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910449846.6 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110174197A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 李赫然;李青;刘思桦 | 申请（专利权）人： | 北京旭碳新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L1/20;G01L1/22;G01L9/06;G01L9/04 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 刘铁生;孟阿妮 |
| 地址： | 100093 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种石墨烯基压阻式压力传感器及其制备方法。该传感器的制备方法包括：在金属基体上制备石墨烯薄膜，形成金属/石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜表面涂覆PMMA，形成金属/石墨烯薄膜/PMMA；用电化学法对金属基体上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，得到石墨烯薄膜/PMMA；将所述石墨烯薄膜/PMMA转移到SiO2/Si基底上，除去PMMA，得到石墨烯薄膜/SiO2/Si；将所述石墨烯薄膜/SiO2/Si转移到SiC衬底上；对所述SiO2/Si基底进行刻蚀；对所述石墨烯薄膜进行图案化；在所述石墨烯薄膜上蒸镀金属电极，得到石墨烯基压阻式压力传感器。本发明的石墨烯基压阻式压力传感器具有压阻特性好、灵敏度高、响应速度快的特点，具有广阔的市场应用价值和前景。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯薄膜 压阻式压力传感器 石墨烯基 制备 金属基体 基底 金属 表面涂覆 电化学法 金属电极 市场应用 压阻特性 灵敏度 传感器 图案化 衬底 鼓泡 刻蚀 涂覆 蒸镀 剥离 响应 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯基压阻式压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：在金属基体上制备石墨烯薄膜，形成金属/石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜表面涂覆PMMA，形成金属/石墨烯薄膜/PMMA；用电化学法对金属基体上涂覆有PMMA的石墨烯薄膜进行鼓泡剥离，得到石墨烯薄膜/PMMA；将所述石墨烯薄膜/PMMA转移到SiO2/Si基底上，除去PMMA，得到石墨烯薄膜/SiO2/Si；将所述石墨烯薄膜/SiO2/Si转移到SiC衬底上；对所述SiO2/Si基底进行刻蚀；对所述石墨烯薄膜进行图案化；在所述石墨烯薄膜上蒸镀金属电极，得到石墨烯基压阻式压力传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京旭碳新材料科技有限公司，未经北京旭碳新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910449846.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多应力传感的自驱动复合传感器
- 下一篇：具有机械解耦的温度传感器的应变仪
