[发明专利]一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法有效
| 申请号： | 201910450346.4 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110127749B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王明均;张朝良;谭亮;李晓燕;龚伟志;罗亮;余荣芬 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学;重庆交通大学 |
| 主分类号： | C01G3/12 | 分类号： | C01G3/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明将强碱、表面活性剂、单质铜、水合肼、硫化钠与水混合均匀，在密封条件下匀速升温至温度为180~220℃并恒温反应22~24 h得到反应体系；反应体系冷却至室温，离心分离，去除上层清液，再采用去离子水洗涤至洗涤液为中性，干燥即得硫化亚铜纳米花。本发明方法反应条件温和、产率高、产物形貌比较均匀而且重复性好，制得的硫化亚铜纳米花的平均粒径为700 nm~1.9μm，组成纳米花的纳米片的平均粒径为400 nm左右；本发明硫化亚铜纳米花具有分级结构和含铜缺陷，可应用在光催化剂、太阳能电池、电化学储能器件和传感器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 硫化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含铜缺陷的硫化亚铜纳米花的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：将强碱、表面活性剂、单质铜、水合肼、硫化钠和水混合均匀，在密封条件下匀速升温至温度为180~220℃并恒温反应22~24 h得到反应体系；反应体系冷却至室温，离心分离，去除上层清液，再采用去离子水洗涤至洗涤液为中性，干燥即得含铜缺陷的硫化亚铜纳米花。
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