[发明专利]背照式CMOS光学传感器的制造方法有效
| 申请号： | 201910450868.4 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110148603B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陆神洲;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种背照式CMOS光学传感器的制造方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底表面沉积第一氧化物层，并通过化学机械研磨工艺进行表面抛光；提供第二衬底作为承载片，并在所述第二衬底表面沉积一层钝化介质层；在所述钝化介质层表面沉积第二氧化物层，并通过化学机械研磨工艺进行表面抛光；采用等离子体照射所述第一氧化物层和所述第二氧化物层表面，并且将所述第一氧化物层和所述第二氧化物层贴合到一起；将所述第一衬底、第一氧化物层、第二衬底、钝化介质层和第二氧化物层进行退火工艺。增加的钝化层可以减少背照式CMOS光学传感器键合工艺中残余气孔数量，最终，提高键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 光学 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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