[发明专利]具有绒面结构的硅片及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910451478.9 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110265499A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 唐旱波;陈全胜;刘尧平;赵燕;林珊;吴俊桃;王燕;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有绒面结构的硅片，所述硅片具有受光面和背光面，其中，所述受光面和所述背光面均具有底部边长为0.5‑3.5μm的倒置金字塔结构的凹坑；所述受光面的倒置金字塔的侧壁与所述硅片宏观表面的平面的夹角为50‑60°；所述背光面的倒置金字塔的侧壁与所述硅片宏观表面的平面的夹角为5‑25°。本发明还提供一种制备本发明的具有绒面结构的硅片的方法。本发明还提供本发明的具有绒面结构的硅片在太阳能电池中的应用。本发明还提供一种太阳能电池，包括减反射层、Si基底层、钝化层和金属层，其中，所述Si基底层由本发明所述的具有绒面结构的硅片形成。本发明的方法成本低，适用于任何类型的倒置金字塔制绒太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 绒面结构 倒置 太阳能电池 金字塔 宏观表面 背光面 基底层 夹角为 平面的 受光面 侧壁 制备方法和应用 背光 金字塔结构 减反射层 钝化层 金属层 边长 凹坑 受光 制绒 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有绒面结构的硅片，所述硅片具有受光面和背光面，其中，所述受光面和所述背光面均具有底部边长为0.5‑3.5μm的倒置金字塔结构的凹坑；所述受光面的倒置金字塔的侧壁与所述硅片宏观表面的平面的夹角为50‑60°；所述背光面的倒置金字塔的侧壁与所述硅片宏观表面的平面的夹角为5‑25°。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910451478.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
