[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910452294.4 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112017949B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王金刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括多个晶体管区以及电阻区，晶体管区基底上形成有伪栅结构，电阻区基底上形成有电阻器结构，伪栅结构和电阻器结构露出的基底上形成有层间介质层；形成覆盖层间介质层、伪栅结构和电阻器结构的硬掩膜层；进行至少一次栅极替换工艺，包括：刻蚀硬掩膜层，露出待去除的伪栅结构；以剩余硬掩膜层为掩膜去除露出的伪栅结构，在层间介质层内形成开口；在开口中形成覆盖硬掩膜层的栅极材料层；以硬掩膜层顶面为停止位置，对栅极材料层进行平坦化处理；在栅极替换工艺后，去除剩余硬掩膜层；去除高于层间介质层顶面的剩余栅极材料层，形成栅极结构。本发明改善了电阻器结构的顶面凹陷问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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