[发明专利]结晶性层叠结构体，半导体装置在审
| 申请号： | 201910452653.6 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110112220A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L29/24;H01L29/04;H01L21/477;H01L21/02;H01L21/34;H01L29/861;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 | 代理人： | 王昌花 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠结构体 结晶性 结晶性氧化物 薄膜 底层基板 刚玉 退火 导电性 半导体装置 高电阻化 电阻率 膜厚 加热 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种结晶性层叠结构体，其特征在于，具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的结晶性氧化物薄膜，且该结晶性氧化物薄膜具有刚玉结构；所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
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