[发明专利]构筑二维金纳米粒子图案的方法

摘要

本发明公开了一种构筑二维金纳米粒子图案的方法，其方法为，以具有优良结晶性能的聚氧化乙烯‑b‑聚2‑乙烯基吡啶嵌段共聚物为手段，通过薄膜自成核的方法制备出了具有多样化的结晶模板，随后将结晶模板浸没于一定浓度的氯金酸溶液中进行金离子的搭载，之后用等离子清洗机对样品进行清洗得到二维金纳米粒子图案；本发明使用自成核的方法简单易行，加工条件不苛刻，不仅对二维金属纳米导电结构的制备与研究具有指导意义，而且为高分子薄膜在纳米材料等领域中的应用提供新思路。

主权项

1.一种构筑二维金纳米粒子图案的方法，以具有优良结晶性能的聚氧化乙烯‑b‑聚2‑乙烯基吡啶（PEO‑b‑P2VP）嵌段共聚物为手段，通过薄膜自成核的方法制备出具有多样化的结晶模板，随后将结晶模板浸没于一定浓度的氯金酸溶液中进行金离子的搭载，之后用等离子清洗机进行清洗得到二维金纳米粒子图案，其具体步骤是：步骤1）对硅片进行表面处理；步骤2）称量一定质量的PEO‑b‑P2VP原料，以甲苯为溶剂配制成一定浓度的溶液；步骤3）将溶液置于热台上一定温度加热数小时直至溶质充分溶解；步骤4）以处理过的硅片为基底，利用旋膜仪以旋涂法制备薄膜；步骤5）将制备的PEO薄膜置于Linkam热台上，在氮气气氛的保护下采用自成核的方法得到PEO‑b‑P2VP薄膜结晶模板；步骤6）用冷的甲苯溶液采用旋涂法将薄膜样品中无序分子链及淬冷过程中形成的厚度较薄的片晶完全冲洗掉；步骤7）将冲洗完全的样品浸没于一定浓度的氯金酸溶液中数个小时；步骤8）用等离子清洗机对搭载后的样品进行清洗。